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　只读存储器

　　前面介绍的DRAM和SRAM均为可任意读/写的随机存储器，当掉电时，所存储的内容消失，所以是易失性存储器。只读存储器，即使停电，所存储的内容也不丢失。根据半导体制造工艺的不同，可分为ROM，PROM，EPROM，E2ROM和Flash Memory

　　1. 只读存储器(ROM)

　　掩模式ROM由芯片制造商在制造时写入内容，以后只能读而不能再写入。其基本存储原理是以元件的“有/无”来表示该存储单元的信息(“1”或“0”)，可以用二极管或晶体管作为元件，显而易见，其存储内容是不会改变的。

　　2. 可编程序的只读存储器(PROM)

　　PROM可由用户根据自己的需要来确定ROM中的内容，常见的熔丝式PROM是以熔丝的通和断开来表示所存的信息为“1”或“0”。刚出厂的产品，其熔丝是全部接通的。根据需要断开某些单元的熔丝(写入)。显而易见，断开后的熔丝是不能再接通了，因而一次性写入的存储器。掉电后不会影响其所存储的内容。

　　3. 可擦可编程序的只读存储器(EPROM)

　　为了能修改ROM中的内容，出现了EPROM。利用浮动栅MOS电路保存信息，信息的改写用紫外线照射即可擦除。

　　4. 可电擦可编程序只读存储器(E2PROM)

　　E2PROM的编程序原理与EPROM相同，但擦除原理完全不同，重复改写的次数有限制(因氧化层被磨损)，一般为10万次。

　　其读写操作可按每个位或每个字节进行，类似SRAM，但每字节的写入周期要几毫秒，比SRAM长得多。E2PROM每个存储单元采则2个晶体管。其栅极氧化层比EPROM薄，因此具有电擦除功能。

　　5. 快除读写存储器(Flash Memory)

　　F1ash Memory是在EPROM与E2PROM基础上发展起来的，其读写过程和E2PROM不同，F1ash Memory的读写操作一般是以块为单位。

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